1. <menuitem id="6k2h2"></menuitem>
          <mark id="6k2h2"><button id="6k2h2"></button></mark>
          <ins id="6k2h2"><video id="6k2h2"></video></ins>

          <menuitem id="6k2h2"><acronym id="6k2h2"></acronym></menuitem>
        2. 山東力冠微電子裝備

          產品展示


          氮化鎵(GaN)HVPE單晶生長設備 臥式

          ? 用于氮化鎵(GaN)單晶生長 ? 用于氧化鎵(Ga?O?)、氮化鋁(AIN)、磷化銦(InP)、砷化鎵(GaAs)外延生長

          氮化鎵(GaN)HVPE單晶生長設備 立式

          ? 用于氮化鎵(GaN)單晶生長 ? 用于氧化鎵(Ga?O?)、氮化鋁(AIN)、磷化銦(InP)、砷化鎵(GaAs)外延生長

          PVT單晶生長設備

          ? 本設備主要用于碳化硅(SiC) 、氮化鋁(AIN) 單晶生長

          SiC籽晶粘接設備

          ? 籽晶的粘接工藝技術是將SiC籽晶通過有機膠粘接在石墨紙上,提高籽晶粘接質量是保證高品質SiC晶體生長的首要前提。

          MPCVD設備

          ? 微波等離子化學氣相沉積技術(MPCVD) , 通過等離子增加前驅體的反應速率,降低反應溫度。適合制備面積大、均勻性好、純度高、結晶形態好的高質量的金剛石單晶和多晶薄膜

          SiC高溫氧化設備

          ? 專門用于硅碳化合物(SiC) 的氧化處理,可實現SiC片在高溫真空環境下完成高溫氧化工藝。氧化工藝使用濕法氧化氣體或N2O、NO、NO2,是最安全的毒性氣體氧化爐 ? 設備適用于SiC基功率器件制造中的高溫氧化工藝環節 ? 加熱腔與工藝腔獨立密閉設計,提供工藝腔的潔凈度

          SiC高溫退火設備

          ? 專門用于硅碳化合物(SiC) 的離子激活和退火處理,可實現SiC片在高溫真空環境下完成活性工藝 ? 設備適用于SiC基功率器件制造中的離子激活和退火工藝環節 ? 加熱腔與工藝腔獨立密閉設計,提供工藝腔的潔凈度

          < 1 > 前往
          精品久久久久中文字幕区,国产a√免费观看,2020中文字幕在线,国产极品